更新時(shí)間：2023-08-18
硅APD探測(cè)器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號(hào)的優(yōu)良探測(cè)器，它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測(cè)距、測(cè)速、測(cè)角、光電探測(cè)和光電對(duì)抗等系統(tǒng)。
硅APD探測(cè)器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號(hào)的優(yōu)良探測(cè)器，它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測(cè)距、測(cè)速、測(cè)角、光電探測(cè)和光電對(duì)抗等系統(tǒng)。
硅APD探測(cè)器LD-Si-010
光電特性
TA=23℃
項(xiàng)目 | 符號(hào) | 單位 | 數(shù)值 | |||||
小 | 典型 | 大 | ||||||
1 | 光敏面 尺寸 | 直徑 | Ф | mm |
| 0.8 |
| |
面積 | A | mm2 |
| 0.5 |
| |||
2 | 光譜響應(yīng)范圍 |
| nm | 400 |
| 1100 | ||
3 | 暗電流 | Id | nA |
|
| 100 | ||
4 | 工作電壓 | Vopt | V | 275 |
| 425 | ||
5 | 工作電壓溫度系數(shù) | K | V/℃ | 1.0 |
| 2.4 | ||
6 | 電壓響應(yīng)度 | 1064nm | RV | V/W×105 | 1.1 | 1.4 |
| |
900nm | RV | V/W×105 | 4.9 | 5.6 |
| |||
7 | 噪聲等效功率 | 1064nm | NEP | pW/Hz1/2 |
| 0.11 | 0.27 | |
900nm | NEP | pW/Hz1/2 |
| 0.027 | 0.06 | |||
8 | 響應(yīng)上升時(shí)間 | Tr | ns |
| 8 | 10 | ||
9 | 響應(yīng)下降時(shí)間 | Tf | ns |
| 8 | 10 | ||
10 | 輸出阻抗 |
| Ω |
| 25 | 50 | ||
11 | 線性電壓輸出范圍 |
| V |
| 0.7 |
| ||
12 | 電壓輸出范圍 |
| V |
|
| 2.0 | ||
13 | 輸出端偏壓 |
| V | 0.0 | -0.7 | -1.0 | ||
14 | 放大器電源電壓 | Vs | V | ±5.5 | ±6.0 | ±9.0 | ||
15 | 放大器電源電流 | Is | mA |
| 5 | 8 | ||
16 | 工作環(huán)境溫度 | Ta | ℃ | -40 |
| +70 | ||
17 | 大反向暗電流 | ID | μA |
|
| 100 | ||
大光 電流 | 平均值 | IP | mA |
|
| 2.5 | ||
峰值 | IP | mA |
|
| 10 | |||
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